射頻放電
高頻放電又稱射頻放電☁•，其放電頻率通常在10-100MHz之間▩↟☁↟。在放電過程中放電方向隨著電極極性的調換而調換▩↟☁↟。在電源放電頻率較低的時候放電會不穩定☁•，隨著電源
放電頻率的增大☁•，當頻率增大一定程度後就會開始穩定放電▩↟☁↟。在高頻放電的 過程中☁•，帶電粒子在高頻電場的作用下在兩極板間運動▩↟☁↟。
射頻放電激發模式
目前等離子清洗機射頻放電的國際通用標準頻率為13.56MHz▩↟☁↟。根據耦合方式分類☁•，大致可以分為兩種☁•，一種是電容耦合另一種是電感耦合▩↟☁↟。電容耦合大多采用內建的
平板電極模式☁•，放電時在兩極板上加射頻電源☁•，在兩極板間氣體激發產生等離子體▩↟☁↟。PLUTO等離子清洗機系列就採用的此种放電激發模式▩↟☁↟。
與之不同的是電感耦合大部分利用外電極放電☁•，其原理是應用電磁感 應將感應線圈纏繞在放電腔體外部激發出二次電場☁•，從而激發腔體內的氣體產生等離子體▩↟☁↟。這兩種
耦合方式各有優劣▩↟☁↟。
容性耦合（CCP）和感性耦合（ICP）
容性耦合等離子體源（CCP）如左圖中這個放電裝置相當於平板電 容器☁•，在射頻電場裡☁•，等離子電子加速並在極板間往返運動☁•，由於極板面積較大所 以這種裝置能夠
產生大面積的均勻等離子體▩↟☁↟。
感性耦合等離子體源（ICP）右圖✘•↟₪·：放電腔體外纏繞著感應線圈☁•，在電磁感應所產生的二次電場作用下激發氣體放電▩↟☁↟。
感性耦合等離子體源（ICP）感性耦合模式（H模式）和容性耦合模式（E模式）兩種放電模式▩↟☁↟。
E模式
放電腔體外纏繞著感應線圈☁•，在電磁感應所產生的二次電場作用下激發氣體放電▩↟☁↟。這種裝置不僅可以控制離子通量還可以控制離子轟擊能量☁•，分別調節電源功率和射頻
偏壓功率即可完成▩↟☁↟。一般應用於刻蝕等應用場合▩↟☁↟。
電子迴旋共振等離子體源(ECR)✘•↟₪·：在這種裝置型別下可以透過調 節射頻偏壓功率控制粒子轟擊能量☁•，而為了電子能吸收波的能量☁•，需要在等離子體 中加入強直流電場▩↟☁↟。
